萌萌

G.SKILL HZ 1GB套装极限频率测试

　　继上周VR-Zone站长Shamino在DFI的LP NF590 SLI-M2R/G上使用默认DDR2-1000 4-4-4-5的G.SKILL HZ达成了DDR2-1000 3-3-3-5-1T后，现在又为我们带来惊喜。


超频时所使用的平台
　　此次，Shamino使用Intel平台来继续挖掘HZ的极限潜力。


具体平台列表


此次的主角G.SKILL HZ 1GB套装


包装左上角清楚标明具体容量规格及频率


G.SKIL HZ使用BainPower高品质6层PCB板

　　此次Shamino测试的依然为512M×2规格的1GB套装产品，默认参数为DDR2-1000 4-4-4-5@2.2-2.3V。此前我们已有介绍为何使用该规格测试。具体连接请点击此处查看。

　   4-4-4-5是这对内存的默认延迟，我们来看看在此参数下可以达到的极限频率。


很多主板都可调校的2.2V电压下就能达成DDR2-1083


将电压加高到2.7V后可以达到DDR2-1230

　　2.2V至2.7V之间还有很多的电压可以选择，但是我们没有一一列举出来。这里只对主流主板和超频主板的电压下达到的频率报道。而如果您想了解在2.3V、2.4V、2.5V……电压下此延迟（4-4-4-5）的频率，可以参照下面的图表。



　　可以看出的是，当电压由2.4V加高到2.5V后，频率的增加较为明显。由此可见，当延迟设置为4-4-4-5后的高效激发电压为2.5V。当然，根据每组内存的个体体制差异，此电压还需要做进一步调整。



很多主板都可调校的2.2V电压下就能达成DDR2-844

将电压加高到2.7V后可以达到DDR2-900

MOD内存供电单元电压3.2V后，频率可以达到DDR2-1044

　　上图同样可以看出，当电压由2.3V加高到2.4V后，频率的增加比较明显。由此可见，当延迟设置为3-3-3-5后的高效激发电压为2.4V。当然，根据每组内存的个体体制差异，此电压还需要做进一步调整。由于与前面测试时选用的参数不同，因此在3-3-3-5下的高效激发电压要低于4-4-4-5下0.1V。

　　高效激发电压是在对电压的增加过程中的某个电压点可以达到最好的频率提升比，因此其效能最高。我们推荐大家在此电压下进行超频操作，但当电压超过默认电压的25%后需要改善散热来保证硬件稳定工作并延长其寿命。

DDR2-1030 3-3-3-5下还可以通过Super PI 1M的测试

　　由于HZ在AMD平台与Intel平台下的表现都十分出色。成绩也较为接近。因此VR-Zone给了其很高的评价，还为此特别颁发了最佳效能奖。

[ 本帖最后由 萌萌 于 2006-10-12 15:52 编辑 ]

meyyb

好厉害的装备啊