新近出的BIOS里内存Clock setting Fine Delay选项里面多了几个选项如下：

DRAM CLK Driving Strength    Level 1～8    (默认 6)
DRAM Data Driving Strength   Level 1～8    (默认 8)
Ch1 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
Ch2 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)

有点疑问，这几个参数是不是需要根据不同品牌的内存模组或者内存颗粒来设置相应的数值呀？如果真的是这样的话，期待DFI能给个相应的设置表，多谢～！

你是不是在PCI卖大黑龙1066 C4的那位朋友？

LT X48 T2RS？
Ch1 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
Ch2 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
7，7适合D9GMH

引用:

原帖由 je4n 于 2008-10-5 23:37 发表
LT X48 T2RS？
Ch1 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
Ch2 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
7，7适合D9GMH

这个和DK P45那组3,3,1,或者4,4,1一样吗???

我的两条镁光双面黄MJ是不是设置7,7,1比较合适呢?

引用:

原帖由 啊星 于 2008-10-5 15:20 发表
你是不是在PCI卖大黑龙1066 C4的那位朋友？

呵呵，可以确定是的

引用:

原帖由 je4n 于 2008-10-5 23:37 发表
LT X48 T2RS？
Ch1 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
Ch2 DLL Default Skew Model  MODEL 0~7  (默认 0)
7，7适合D9GMH

多谢J大，忘记说我现在是DDR3了，板子是X48 T3RS,颗粒是镁光D9 JNL，请问一下这四组数据怎么样组合？

平台发过来让我玩１个月保证可以搞定

引用:

原帖由 lyjspeed 于 2008-10-6 10:33 发表


多谢J大，忘记说我现在是DDR3了，板子是X48 T3RS,颗粒是镁光D9 JNL，请问一下这四组数据怎么样组合？

D9JNL，这个条子萌萌印象中压根没碰过
楼主又非主流了
不过不必担心，排列组合大家都学过吧，懒人用懒办法，多付出一些时间，多敲击几下键盘，DFI工业级ALL OPEN BIOS一定会给你惊喜的
祝楼主好运

版主，我的UT X48 T2R，就是这些SKEW调不明白啊，条子是AA3G颗粒的4GBPQ，能否告知一些可以参考的内存小参？

引用:

原帖由 萌萌 于 2008-10-6 12:08 发表

D9JNL，这个条子萌萌印象中压根没碰过
楼主又非主流了
不过不必担心，排列组合大家都学过吧，懒人用懒办法，多付出一些时间，多敲击几下键盘，DFI工业级ALL OPEN BIOS一定会给你惊喜的
祝楼主好运

汗，就是这种颗粒
目前调到1 3 0 0 相对于比较稳定的奇观组合，现在主要是想知道这个组合是不是针对不同品牌、颗粒有什么相应的组合没有？

引用:

原帖由 suppersix 于 2008-10-6 12:34 发表
版主，我的UT X48 T2R，就是这些SKEW调不明白啊，条子是AA3G颗粒的4GBPQ，能否告知一些可以参考的内存小参？

调节到8 8 1 1 看看，貌似比较稳定，不知道这四个组合有无什么规律可以遵循没有

目前没找到什么规律，就像DDR2板子用MT时，3331~6661都不错，差不多，但是7771就怪异无比

4位数的排列组合很有工作量

摘自 DFI CLUB FORUM

DRAM Drive Strength

Settings = Auto, 1-8 in 1.0 increments.
摘錄自︰http://www.rojakpot.com/
“sometimes叫驅動力量。 這個功能允許你控制記憶數據匯流排的訊號強度。 增加記憶體匯流排的驅動強度在超頻的期間能增加穩定性。 DRAM記憶體的驅動強度歸屬於記憶資料線路的訊號強度。 更高的數字表示較強的訊號並且一般被建議超頻時用以改進穩定性。 假設當其他一切事情更喜歡強的信號時，根據推測TCCD在較弱的驅動強度時工作的較好。
從bigtoe︰ 如果你設定選項為自動， 這有益于於以TCCD為基礎的模組，但是同時對于其它任何部分都將有害。 根據測試與除錯這塊板子我得到結論如下內容。 選擇1357 全部弱，與自動選項一樣，確定。 1 跟7都是最弱的選項接近于DFI正常可允許的弱設定。 選擇2468 為正常設定，8為可設定的最高強度。 如果你使用TCCD 你可能想要嘗試35或者7這些通常能允許模組設定較好的時脈， 如果你正使用VX或者新BH 金或者任何來自OCZ的其他模組，你可能想要試驗8或者6。
對於穩定性有大的影響。
對於DFI 的建議設定︰ 從bigtoe︰ 如果你是使用TCCD的試試35或者7為那些驅動設定，他們通常能允許那些模組得到好的時脈。 如果你正使用VX或者新BH 金或者來自OCZ範圍的任何其他模組，你可能想要試驗8或者6。

DRAM Data Drive Strength

Settings = Levels 1-4 in 1.0 increments.
摘錄從亞德裡恩王的網站︰http://www.rojakpot.com/
"The MD 的驅動強度取決於記憶體資料線路的訊號強度。 越高的值，信號越強大。 主要用來增強DRAM記憶體的驅動能力與較重的DRAM裝載(倍數和/或雙重邊DIMMs)。 因此，你使用，重裝DRAM記憶體，你應該設為Hi或者High。 由於這種BIOS選項的自然特性，有可能可以將它作為記憶體匯流排的一個超頻輔助。 你SDRAM DIMM可能不能如你所願的做超頻。 但是透過提升記憶體資料線路的訊號強度，這是有可能在已操頻速度下增加它的穩定性。但是這不表示這樣的超頻方式一定會成功。 另外，增加記憶匯流排的信號強度將不會改進SDRAM DIMMs的性能表現。 因此， 建議將MD 的驅動力量設在Lo/ Low，除非你有高裝載的DRAM或者你試圖穩定超頻的 DIMM記憶體。
"關於穩定性有大的影響。
對於DFI 的建議設定︰ 如果你將CPC設定打開，可能許多人建議使用Level 1 或是Level 3， 如果將CPC設定設為enabled，任何高於Level 1的設定將會帶給使用者極度的不穩定性， 一些用戶喜歡在CPC enabled時，將設定設為Level 3。 如果CPC設定關掉時有些使用者可以成功的將設定設在level 2-4，我個人就運氣不錯的在CPC開啟的時候設定到level 4一些其它的已經有使用的水準2-4成功。 ( 較高=更快)


CPC=Command Rate
CPC 的設定特徵是允許你在單一資料存取的延遲選擇，信號在記憶體控制器開始把命令送到記憶體的時間。 設定值愈低記憶控制單元能送到外部記憶體的命令就越快。 當 CPC設定為Enable時，記憶控制器讀寫一次資料花費一個時脈週期或者1T的命令延遲。 當 CPC設定為Disable時，記憶控制器讀寫一次資料發費兩個時鐘週期或者2T的命令延遲。設定為 Auto時允許記憶控制單元命令延遲使用記憶模件的SPD內定值。 如果SDRAM 命令延遲太長，記憶體存取將會因等待發布命令的時間太長而降低效能。 但是， 如果SDRAM 命令延遲太短， 記憶控制器來不及翻譯位址及存取結果將引起數據損失和無效命令。 我們在此建議你為了更好的記憶體效能，試著將SDRAM 1T的指令設為enable. 但是如果你面臨穩定性問題，則必須將SDRAM 1T的指令設定為Disable 2T。DFI 建議設定︰ 每當記憶體夠強，使1T成為可能

[ 本帖最后由 lyjspeed 于 2008-10-6 23:20 编辑 ]