萌萌

一直以来，DDR3由于延迟参数相比DDR2大幅提升但频率优势并不明显而被广大用户无视。随着时间的推移，工艺更加先进的新制程D9JNM芯片则颠覆了往日高频低能的颓势，刷新了我们的观念甚至开始对DDR3颇有好感。威刚A-DATA DDR3-1600+就是一款采用镁光D9JNM芯片的XMP标准内存，阅读本文后欢迎您到超频网玩家论坛的品牌内存PK场来畅谈感受！

萌萌

　　威刚简介：威刚科技设立于2001年5月，创办人为担任董事长兼执行长职务之陈立白先生。陈董事长创立威刚之初，即怀抱成为「全球记忆体应用产品之领导品牌厂商」的理想，营业初期系以内存模组为主要产品线，嗣后着眼于闪存之应用日广，遂投入闪存存贮器应用产品之开发。目前威刚主要产品线，业已涵盖DRAM及Flash存贮器应用领域，且分别在应用产品上取得全球领先地位。

2001年，A-DATA（威刚科技）正式成立


相信很多熟悉威刚的朋友们都知道其主流产品线以V-DATA（万紫千红）命名，
而高端产品线则以A-DATA Vitesta（红色威龙）命名。在威刚A-DATA系列当中
尤其以EE版为快（我们通常直译其为“极致版”），且在火红色的HeatSink上，
那面F1“膏药旗”旁的Extreme Edition所象征着如同顶级赛车一般的超快感。


由于我们超频网收到本次测试样品（A-DATA DDR3-1600+ C8）的日程较早，因此
威刚不得不提供一组工程样品，也就是大家俗称的ES版来供我们测试。众所周知，
内存封装厂商在缔造超频内存时通常差异就在于两点：筛选芯片的功力和优化SPD
的实力！换句话说，此次我们收到的评测样品虽然没有散热片，但芯片体制和SPD
的优劣已经足够证明其基本体制了。与市售样品的差别就在于是否在散热性能上会
存在较大差异而已。说实话，少了那对儿火红的“马甲”后她看起来是那么的普通。
虽然没能在应有的那强大视觉冲击力中得到切肤的体验，不过我们也蛮知足。毕竟
看到她的“玉体”后眼睛直勾勾的盯着Micron那个LOGO好久。不是吗？DDR2 D9系列
曾带给玩家们多少的欢喜，想必现在有不少人可以引起共鸣吧。只要不提“缩肛”！


本次测试样品是一组1GB×2规格DDR3内存，使用了单面8枚芯片封装的形式。其PCB
背部的走线与DDR2大不相同，我们可以清晰的看到其覆铜及走线的思路完全转变了。


从DDR到DDR2再到如今的DDR3，6 PCB Layers已经是标配了，更高阶的甚至用8层。
早期的DDR内存由于频率较低，4层板还可以应付，但是从DDR-400开始便出现些许
不稳定迹象。到了DDR2时代，4层PCB已经完全无法胜任，6 PCB Layers 便成为了
主流规格，部分超频条或服务器级别产品甚至会用到8层板。原本我们以为DDR3会
将8 PCB Layers作为标配，但事实证明，6层板依然可以满足DDR3高频下的稳定性。
其实只有芯片体制够强，高频并不是难事，PCB只是起到辅助，8层成本毕竟太高。


DDR3内存另外一大特点是其PCB右侧有大量阻容元件分别滤波及防止高频信号回荡。

　　说真的，萌萌很惭愧没能在收到测试样品后的第一时间跟大家分享这道饕餮大餐 T_T~ 苦于DDR3牛板难求。我们疯狂的联系着各大主板厂商，但还是在收到内存半个月后才得到了心仪的华硕玩家国度主板RE与之搭配。这次要是再不搞出什么名堂来，真是严重对不住各位观众！其实我和您一样，期待每一款电子产品都性能出色、使用稳定且价格低廉。但现实总是残忍的，接受了一连串打击后我们终于清醒：原来这套配置是很耗费RMB的！

　　威刚虽然提供了一组ES产品供超频网测试，但其实市售版是搭配了铝制内存散热片的！红色威龙极致版必然是工料考究、外表唯美的扛鼎之作。火红色HeatSink上由数控车床加工出了极具质感的LOGO，右侧的规格贴纸清楚的标注着额定频率及相对应的延迟时间和推荐电压。但后面的测试告诉我们，威刚这个DDR3-1600+后面的“+”蕴含了太多可以让你尽情享受的空间。这就好比量产超级跑车的最高时速都要根据各国法律法规限定在一个比较和谐的数值上，但当你进入驾驶舱看到410公里/小时的表头且拥有解除电子限速的那把钥匙后，仿佛只有光才是你的对手！

　　威刚新版本红色威龙的散热片已经改进了不少，以前是双卡扣固定，但容易导致受力不均匀。现在这种“夹板”式散热片已经被很多超频内存模组厂所选用，考虑到DDR3默认电压更低，其功耗和温度也比前一代产品有所下降，因此并不需要夸张的散热手段就可以将她有效冷却。只是不得不提的是，我们真的希望威刚的各级经销商再专业些，不要连内存本身的规格贴纸都不撕掉就粘上散热片摆上柜台销售。论坛中很多玩家好奇的打开HeatSink却发现里面还有一个销售识别用的贴纸，以至于误认为是“普条加马甲”的假货！

　　我们以前也对内存散热系统做过相应的测试，纠正了一些网友的误区。例如有同学说摸着XX品牌的内存散热片极烫，担心其稳定性不好，而另一品牌却感觉温温的甚至冰凉。可工作的频率，设定的电压及内存的芯片都是一致的。这里不得不告诉您，摸着很热并不一定是坏事，起码说明导热介质将内存芯片的热量有效的传递到了散热片上。而摸起来冰凉的也许那原本是散热作用的HeatSink却成了保温层担当起无形杀手。当然这些不是一概而论的，只是为很多高效散热系统平反而已。至于以前常提到的内存散热片能够有效屏蔽机箱内的电磁干扰使内存工作更稳定这一说法，心理作用大过实际效果。如今的电子设备抗干扰性能都有了明显提升，假设需要的话，内存散热片会成为内存的标配产品。而现在仅仅在高端品牌或系列中可以见到马甲条，除了更有卖相、保护内存表面脆弱的阻容元件外，最本质的作用还是散热。

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在与上一代产品DDR2对比中我们可以很明显发现两者外观上的主要区别。PS：
由于本次DDR3评测样品为单面8芯片封装形式，因此类比中很多细节需要另议。


区别一：内存PCB边缘的卡口由DDR2的圆弧形改为方形并且大量阻容元件侧置。


区别二：用来存储SPD信息的EEPRom芯片更加瘦小，但同样8Pin与上一代兼容。


区别三：金手指的防呆开口位置有了明显变化，毕竟两者都是240Pin，容易混淆。
有了如此明显的防呆设计差异，只要别暴力对待，应该还不至于使他们误入DIMM。


区别四：DDR3内存的PCB采用电气性能更好的全板打孔设计且边缘对应更多电容。


区别五：由于默认电压差异，DDR2排阻规格主要为220，DDR3排阻规格主要为150。


区别六：DDR2内存PCB版本为B62URCE 1.00，DDR3内存PCB版本为B63URCA 0.71。
其实DDR时代很多封装厂就偏爱BrainPower PCB，如TCCD和BH-5经常搭配B6U808。


除上述主要区别，DDR2与DDR3大多采用FBGA芯片与BrainPower(欣强科技)PCB搭配。
BP ML E186014 94V-0说明防火等级是94V-0级(UL认证)，最大耐温值在150℃左右。

　　◆ 本篇所述区别与相同之处均为目前主流DDR2、DDR3间的明显差异，并可以通过视觉进行直观的判定。由于DDR3内存上市时间较短，不免日后进行多次小幅度版本修订。因此本篇章中的外观分析仅供参考！

另外，我们也搜集到了威刚A-DATA双面芯片DDR3内存的产品照给大家做一个参考，
您可以根据图上各部分细节来区分于DDR3单面产品和DDR2产品。（芯片体积除外）

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　　在Micron（镁光）官方网站提供了查询颗粒料号的一个页面（FBGA Decoder），由于其BGA封装的DRAM芯片均有个5位的Part Marking代码，因此需要到这个页面中“解读”一下才能了解具体规格！）

http://www.micron.com/support/designsupport/tools/fbga/decoder

　　例如，输入：D9JNM后，我们看到其内部代码为：MT41J128M8HX-15E:D。进入详细查询页面后得知其产品详细状态如下：
　　符合欧盟环保RoHS规范
　　Depth：128Mb（单芯片存储量）
　　Width：×8（单芯片位宽）
　　Voltage：1.5V（额定电压值）
　　Package：FBGA（封装形式）
　　Pin Count：78-ball（针脚规格/球）
　　Clock Rate：667MHz（时钟频率）
　　Cycle Time：1.5ns（潜伏周期）
　　Op.Temp.：0℃ to +85℃（工作温度）
　　CL：CL=9（CAS Latency）
　　Date Rate：DDR3-1333（数据频率/等效工作频率）

镁光DDR3部件编号全部以MT41J开头，后面"数字+M+数字"代表芯片?M容量?位宽，
随后则是一位字母的Rev.+两位字母的Mark，代表封装类型是?-ball ?mm×?mm，
速度用-?代表，其中数字等同于tCK，字母则表示CL，最后的:?(B/D/F)表示版本。


D9JNM所采用的“占地面积”最小、制程最先进的78球封装芯片背部针脚定义图。


镁光定义的其芯片温度监测点示意图（由长度的一半与宽度的一半之交点所得）。


镁光明确的表示其DDR3内存芯片最大峰值过压为0.4V，看来高过此数值很危险。


镁光甚至还给出了最大波幅与非标准工作电压区域示意图（Volts-V，Time-ns）。


了解镁光全线DDR3后，萌萌也在捶胸顿足：手中要是默认最猛的-125F该多好啊！

　　其实不了解镁光芯片的朋友看了上述数据可能会吐槽：D9JNM很逊啊！默认DDR3-1333，CL却高达clock~9，唯一优势就是规格采用128M×8，可以实现单条2GB而已。这样的芯片有什么可赞？任何晶圆厂现有产能下，同规格的良品DDR3内存芯片都可以做到啊？

　　没错，的确如此。可是有些时候厂商未免也会“不诚实”，我们称之为厚道。镁光就是这样的！以前明明可以稳定1000以上的D9GCT还被当作533去廉价贩售过。默认规格虽然并无抢眼之处，但其有充分的潜力值得挖掘！增加激发电压是最好的手段之一，通常情况下高于默认Voltage大约30%~50%在频率方面表现最佳，只是要注意Timings不能Tweak到太勉强，且温度也要控制得当，否则免不了接受“缩肛”的惩罚！
　　* 缩肛一词虽然难登大雅之堂，但却形象的说明了内存体制大幅下降的尴尬处境！

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　　何为内存？

简单的讲，内存就是草稿纸。而科学严谨的说，内存一般采用半导体存储单元，
大类上包括有随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）以及高速缓存（CACHE）。

　　RAM表示随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。
　　ROM表示只读存储器（Read Only Memory）在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入或搭配有写保护，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。
　　CACHE表示高速缓冲存储器它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存。当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。

采用了78球FBGA"HX"规格的D9JNM封装尺寸参考图。

　　内存相关基本名词解释：
　　一、工作温度：
　　工业常温（-40℃ ~ 85℃）；扩展温度（-25℃ ~ 85℃）
　　二、电路板：
　　电路板也称PCB版，是印刷电路板电子板卡的基础，由若干层导体和绝缘体组成的平板。电路图纸上的线路都蚀刻在其上，然后焊接上电子元件。由于所有的内存元件都焊在电路版上，因此电路板的布线是决定内存稳定性的重要因素。DDR/DDR2/DDR3内存必须使用6层PCB或以上规格才能保证内存的电气化功能和运行的稳定性。
　　三、SPD及SPD芯片：
　　SPD（Serial Presence Detect）——串行存在侦测，SPD是一颗8针的EEPRom（Electrically Erasable Programmable ROM：电子可擦写程序式只读内存），容量为256字节~2KB，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度、是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有SPD，就容易出现死机或致命错误的现象。另外nVIDIA和Corsair共同推出的SLi内存EPP技术加入了多组设定值满足nVIDIA Chipset下可以发挥内存的极致效能；同样的，Intel也在大力推崇其XMP（eXtreme Memory Profiles），主要配合X48主板和400MHz外频的QX9770处理器，使内存运行在更高效的DDR3-1600下。但至今两者均尚未普及，毕竟SPD中可供收录的Timings是有数量限制的，目前通常可以识别最多四组。更合理的方式是两组JEDEC参数、一组EPP参数和一组XMP参数，不过出于商业性因素我们应该在短期内不会见到同时获得NV与Intel双认证的内存模组出现！
　　四、排阻：
　　排阻，也称终结电阻（终结器）是DDR系列内存中比较重要的硬件。DDR内存对工作环境提出很高的要求，如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象，就会对后面信号的影响从而造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。由于每根数据线至少需要一个终结电阻，这意味着每块DDR主板需要大量的终结电阻，这也无形中增加了主板的生产成本，而且由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，也造成了所谓的“内存兼容性问题”。由于DDR2/DDR3内部集成了终结器，这个问题相对来讲得到了比较完美的解决，但内存PCB上依然还会有排阻出现，它能配合BIOS调节终极电阻阻值来达到提升内存同步性的目的。
　　五、针脚（Pin）：
　　Pin：针状引脚，是内存金手指上的金属接触点。由于不同的内存其针脚不同，所以针脚也是从外观区分各种内存的主要方法。内存针脚分为正反两面，例如台式机DDR2和DDR3内存是240Pin，那么正反两面的针脚就各为240÷2＝120个。此外，有些大厂的金手指使用技术先进的电镀金制作工艺，镀金层色泽纯正，有效提高抗氧化性。保证了内存工作的稳定性。相比较之下，成本更低且工艺更加纯熟的化学工艺金手指也被广泛采用，大家可以根据针状引脚后面有没有留下小尾巴来区分。

　　内存基本工作原理：
　　内存寻址：
　　首先，内存从CPU获得查找某个数据的指令，然后再找出存取资料的位置时（这个动作称为“寻址”），它先定出横坐标（也就是“列地址”）再定出纵坐标（也就是“行地址”），这就好像在地图上画个十字标记一样，非常准确地定出这个地方。对于电脑系统而言，找出这个地方时还必须确定是否位置正确，因此电脑还必须判读该地址的信号，横坐标有横坐标的信号（也就是RAS信号，Row Address Strobe）纵坐标有纵坐标的信号（也就是CAS信号，Column Address Strobe），最后再进行读或写的动作。因此，内存在读写时至少必须有五个步骤：分别是画个十字（内有定地址两个操作以及判读地址两个信号，共四个操作）以及或读或写的操作，才能完成内存的存取操作。
　　内存传输：
　　为了储存资料，或者是从内存内部读取资料，CPU都会为这些读取或写入的资料编上地址（也就是我们所说的十字寻址方式），这个时候，CPU会通过地址总线（Address Bus）将地址送到内存，然后数据总线（Data Bus）就会把对应的正确数据送往微处理器，传回去给CPU使用。
　　存取时间：
　　所谓存取时间，指的是CPU读或写内存资料的过程时间，也称总线循环（Bus Cycle）。以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的特定资料，内存响应CPU后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。因此，这整个过程简单地说便是CPU给出读取指令，内存回复指令，并丢出资料给CPU的过程，也就是我们通常所说的ns。
　　内存延迟：
　　内存的延迟时间（也就是所谓的潜伏期）：一般的说明内存延迟涉及四个参数CAS（Column Address Strobe行地址控制器）延迟，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延迟，RAS Precharge（RAS预冲电压）延迟，Act-to-Precharge（相对于时钟下沿的数据读取时间）延迟。其中CAS延迟比较重要，它反映了内存从接受指令到完成传输结果的过程中的延迟。

镁光DDR3-1333速率、延迟参数汇总表。


镁光DDR3芯片延迟参数汇总表。

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　　一、突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，
而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也较常用，为此DDR3增加了一个4bit
Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入
操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过"A12"地址线来控制这一突发
模式。而且需要特别指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，
且均不予支持！取而代之的，是更为灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

　　二、寻址时序（Timings）

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所
提高。DDR2的CL范围一般在3～6之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）
的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、
CL-1和CL-2。另外DDR3还新增了一个时序参数：写入延迟（CAS Write Latency）。

　　三、新增重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早前
就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上得以实现。这一引脚将使DDR3的初始化
处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量
活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有
数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）
与时钟电路将停止工作且不理睬数据总线的任何动静，这样使DDR3达到节能目的。

　　四、新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的引脚，上面接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过
一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）自动校验
数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。系统发出这一指令后，将用相应的
时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个
时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

　　五、参考电压分成两个

DDR3的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA
和为数据总线服务的VREFDQ，这样做将会有效地提高系统数据总线的信噪等级。

　　六、点对点连接（Point-to-Point，P2P）

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。
在DDR3中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道且这个内存通道只能有
一个插槽。因此内存控制器（MCH）与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的
关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）
的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线
的负载。而在内存模组方面，与DDR2类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、
SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二
代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器），这些都是改动后所得。

　　其它重点图示：

镁光DDR3输入信号供电说明（DC&AC）。


ODT全称是On-Die Termination，其特性如上图。


ETT有效阻抗汇总列表。


刷新模式图解。

　　面向64位构架的DDR3内存显然拥有更多的优势，由于DDR3采用了根据温度自动刷新、局部自刷新等其它一些功能，因此在功耗方面也要出色得多。再加上原本就低至1.5V的额定电压被很多疯狂的厂商所无视，他们极力改进让其工作在更低的1.35V甚至1.25V。比如奇梦达Qimonda就曾在早些时候豪言要让DDR3-1600默认电压低至1.35V以达到更为节能的目的，这样的趋势对用户来讲最直接的就是节省电费开支，而更深远的影响在于其积极响应节能减排号召为绿色地球做着不断的努力。

萌萌

由E8400、X48主板、DDR3内存及HD4870组成的非主流测试平台近照。


我们深深知道威刚这对DDR3实力不俗，为避免其它硬件对其造成瓶颈。特意请出
当今毫无争议的“板皇”ASUSTeK Republic of Gamers:RAMPAGE EXTREME来伴舞。


什么？RAMPAGE EXTREME凭什么被称为板皇！咱们看图说话：其内存采用双相供电，
每相搭配四枚超低阻MosFET、1.0微亨密闭防磁电感及一颗极YY的电容：黄金搭档！

！！！这颗黄金搭档不是电视里脑残广告中的保健品，其名为高分子金属电容ML-3，由日系的军工级厂商：FUJITSU（富士通）生产。该电容的优势十分明显：更低的ESR、更高的耐温值、更出色的封装尺寸等，但缺点同样明显：成本极高！相比普通电解电容及铝壳固态电容来讲，这类特种电容在民用IT产品上的曝光率极低，主因便是采购成本高昂。

　　华硕RAMPAGE EXTREME主板不仅设计优异、料件奢华，在很多细节方面也极尽考究，相信每一位享受过她的玩家都会有切肤的体验。为了配合当今顶级量产主板发挥至最佳效能，华硕的R&D们特意将BIOS做了全方位的优化和多种硬件兼容性测试。

　　以往我们认为一款合格超频主板的灵魂：BIOS除了要界面清晰，思路整洁之外，还应该能够做到最大程度的人机对话。当然我们也希望在BIOS中，不论是选项的种类方面、数值的范围方面还是一些附加功能的个性方面，均可以登峰造极，让每一名Extreme Tweaker不会感到主板某些功能的实现方面存在遗憾或者有些设计存在偷懒之嫌。

调整FSB Strap可以自动开放不同内存频段区间，这与效能和极限频率均有很大
关系。更低的Strap可以获得同频下的更优效能，但是更高的Strap通常有利于
频率的攀升，这使得玩家们有时会无从取舍。Auto是个不错的方案，但合格的
OCER不会让自己的BIOS中出现太多Auto！简单来说，Strap频率越低，内存频率
选择区间会越高，如果内存的体制不能高攀到1:1以上其它除频比，那么还是选
400MHz比较明智。毕竟因此牺牲掉的那些效能还可以用更高的运行频率来弥补。


当Strap设定为Auto时，对应当前FSB的所有除频后内存速率均完整的显示出来。
从DDR3-667到DDR3-1333，甚至还有1600、1800、2000三个超高频可以选择，但
他们会根据所选频段对处理器倍频做适当优化，这也就相当于一种自动超频了。


至于Command Rate这个概念来讲，从DDR时代就一直困扰着我们，究竟是要1T下
的性能还是要2T下的频率就看您自己了。通常情况下只要内存频率不再是外频
的瓶颈，选择1T即可。而如若内存频率需要大幅度超频则2T会使之工作更稳定。




在华硕RAMPAGE EXTREME主板的BIOS中，将内存参数分为了三个组。分别有提供
灰色黯淡显示数值来体现当前工作的延迟（读取SPD所得），而这三个组对效能
和极限频率的影响也逐渐减小。1st Information包含了常见的tCL、tRCD、tRP
及tRAS四个基参，这是对性能和稳定性影响最大的。后面的和第二、第三组则
除了REFcycleTime以外均提供了最小值“1”，最大值则根据选项从3到31不等。


Configure DRAM Skew Settings选单中可以调节内存协同性，单位是皮秒（ps）。

　　华硕RAMPAGE EXTREME强大的硬件规格及毫无争议的王者风范大家有目共睹，从供电到滤波、从插件到散热，每一个细节都似乎经过了千锤百炼！但就算是这么一款令世人惊艳的X48板皇，在我们看来也免不了尴尬到成为一名无人予以共论剑的武者，直到同属EXTREME版本的威刚 A-DATA Vitesta DDR3-1600+出现，僵局才得以打破！

　　下一篇章的测试内容让我们更加肯定自己的判断，没错：3>2！

萌萌

　　定律一：DDR3高频低能：延迟决定了其无用武之地；
　　定律二：DDR3兼容性差：新产品需要很长的时间才能逐渐成熟；
　　定律三：DDR3高不可攀：在C/P值面前，DDR3毫无艳彩，光芒早已被更加成熟廉价的DDR2所掩盖。
　　定律四：……
　　定律，是用来被打破的！
　　
　　Auto模式即可享受XMP内存高频下的快感：

前文已经介绍了威刚A-DATA DDR3-1600+支持Intel XMP规范，我们第一步便对其
尝试。将它与X48顶级主板RAMPAGE EXTREME组合后，BIOS全Auto状态自动将内存
按照XMP规范的1600 8-8-8-24运行且十分稳定。不仅如此，SubTimings也优化得
十分到位，甚至工作在了1T Command Rate下，而此时实际电压也并未高于1.75V。

　　1:2除频模式下基本盘测试成绩：


我们借助威刚A-DATA DDR3-1600+内存很轻松的达成了DDR3-2000的成绩且延迟为
7-7-7-21-2T，在EVEREST频宽测试中取得了很理想的成绩，内存读写均轻松过万。

　　DDR3-2000 7-7-7-21饱受Prime95摧残：

受限于CPU空冷下的极限体制，我们将其倍频降低到了8.5，外频依然500MHz，
内存依然1:2运行在DDR3-2000，其余延迟等参数与前项测试相同。经过了最
严苛烤机软件Prime95 v25.6后，我们打算再试试其它除频条件下的超频性。

　　拒绝“为了测试而测试”，将超频平台与工作机划等号！

萌萌不习惯为了测试时得到更好的成绩而去将原本集成的很多功能关闭，于是
便可以时常享受到超频网最强大工作平台的快感。600MHz外频的E8400在顶级
X48主板上搭配着相当嚣张的低延迟DDR3，其它同事只有投来羡慕的眼光了...
此时测试内存频宽，三项均过万，MWL甚至达到了12644MHz，看来DDR2被一脚
地板油超车了o(∩_∩)o...别忘了，现在声卡、网卡、1394等板载芯片均未被
关闭，且可以在运行了诸多测试软件后连续烤机！偷懒逛逛论坛水区也没问题。

　　有些麻木了，因为7-6-6-19的延迟跑得也很欢快！

内存频宽已经突破了心理极限，但内存本身还远未到极限。萌萌没有继续将其
挖掘到更高只是为了给大家留下一个悬念。顺便提一下，此时的电压离2V还远。

　　舒舒服服跑个VANTAGE准备回家睡觉！


如果说3DMark比Prime95更考验内存，那么这张图中的成绩很好的说明了一切。
将其运行在1800而不是2000只是为了与之前DDR2平台数据做出一番对比。可以
直言不讳告诉大家，最终VANTAGE成绩总分并没有任何提升，因为内存已经不再
是系统的瓶颈了。检验内存稳定性还有一招：连上战网和好友夜战魔兽澄海3C。

　　经过了多日的漫长测试，萌萌已经基本摸清了DDR3的脾气。其实最近真的很少有机会能够深入测试高端硬件，那种切肤的体验是难以在心中磨灭的。经常光顾我们超频网的资深读者应该还记得，萌萌是个“唯芯论”的提倡者。因为任何内存产品，基本上只有芯片本身才能决定其体制！但这一观点现在看来又显得有些牵强，一个真正懂得超频含义，懂得OCER需要什么的厂商才能真正的缔造出大家需要的产品。否则，把极品芯片给个山寨厂，用廉价的料件和无法恭维的做工将其组装，再刷入一个未经过兼容性测试的“公版”SPD，后果可想而之！

如今，在超频内存领域，我们可以看到台系几个封装大厂很积极的力拼高端。这不仅因为高端容易铸就品牌形象，高端市场的产品更容易获利也是关键所在！但品牌所能决定的只是品质，所选芯片决定的也只是体制而已。想找到适合自己的超频内存，需要在品牌与颗粒间做出选择。◆ 同一品牌首选芯片潜力更大的型号 同一芯片首选品牌口碑更佳的厂商！

　　超频玩家关心的首要问题通常不是价格，产品OC潜力更容易成为第一个被考量的因素。除此之外，个性的外观或包装、保固条例是否和谐等等都将影响高端用户的选购。当然价格也有一个要求：越低越好！

　　威刚科技旗下各类电子产品在大陆的常见程度已经不必赘述了，其业绩也是让同行们刮目。但萌萌只推荐超频用户选购威刚的A-DATA系列产品，因为其芯片本身经过了更精心的专业级筛选、更严苛的稳定性测试且SPD优化偏向兼容性，小幅tweak几个基本的Timings便可感受频率提升的爽快。这一点来看，相比很多效能为先的品牌，威刚红龙的SPD更适合普通超频用户，而极致版则更适合骨灰玩家。

　　一款默认规格支持Intel XMP DDR3-1600规范的超频内存，一款“虚标”的代表作。让我们重新认识了威刚，重新定义了DDR3。在当今效能最高的X48主板上达到DDR3-2000本来并非易事，再配合出色的延迟参数和不高于2V的安全电压，恐怕不是任何一个品牌的D9系列产品都能做到的。

反复测试后经过深思熟虑，冒着被扣上枪手这一“美名”的风险。萌萌决定对采用
镁光D9JNM芯片的威刚A-DATA DDR3-1600+内存授予本站最高荣誉《超频推荐奖》！

DaKid

顶MM~~  貌似新颗粒的DDR3很是有前途呢~~

xiahait

不顶对不起MM

bluedevil666

超级无敌长的帖子，先顶再拜读~~

athlon64fx64

学习了

ELT

终于在I平台read过1w2

这条东东烫不烫

xiahait

拜读完毕，虽然很多看不懂。。。

沧桑De小帅

靠，突破人的心理承受能力了哇！

hclo

先学习下。。支持MM