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DrMOS + Hi-c CAP设计 MSI P45 Diamond简测(转)

本主题由 yvlong911 于 2008-7-24 20:52 设置高亮

DrMOS + Hi-c CAP设计 MSI P45 Diamond简测(转)




MSIP45 Diamond 正式在港上市,以全新 DrMOS 技术作主打,採用高效率整合式 MOSFET 、配搭全封闭式电感及 Hi-c Cap,质素较同级最强,并追加 GreenPower 供电模组节能技术,不再让 ASUS 、 GIGABYTE 专美。秉承 Diamond系列丰富功能的特点, MSI P45 Diamond 加入水冷散热设计,更随产品附送 Creative SoundBlaster X-Fi音效卡,力争 P45 板王地位。


                                                                                                                                                                                Intel P45 + ICH10R  --- MSI P45 Diamond


图为 MSI P45 Diamond 主机板,採用 ATX Form Factor 、尺寸为 30.5cm x 24.4cm ,晶片组採用全新Intel P45 北桥晶片配搭 ICH10R 南桥晶片。处理器接口为 Socket 775 ,供电模组为 VRD 11.1 版本,支援最新Intel 45nm 处理器。



IntelP45 晶片组官方规格最高仅支援 1333MHz FSB ,由于 P45 北桥拥有强劲 FSB 超频能力,因此 MSI P45 Diamond不单保証可支援现时最强的 Intel Core 2 Extreme QX9770 处理器,更可标示可超上 2008MHz FSB,是现时唯一一家厂商敢把 FSB 超频保証数字,定于超过 2000MHz FSB 以上。



记忆体方面,虽然 P45 同时内建 DDR2 及 DDR3 记忆体控制器,但 MSI P45 Diamond 仅选择 DDR3 配置,虽然P45 官方支援最高记忆体速度仅 DDR3-1333 ,但 MSI 表示透过与多家记忆体厂商的合作, MSI P45 Diamond可支援现时市面上的 DDR3-2000 模组,最高可支援 8GB 记忆体容量。



绘图接口方面, P45 提供 1 组 x16 或 2 组 x8 的 PCI-Express 2.0 绘图接口配搭 ,可支援 ATICrossFireX 多绘图卡协同技术,相比 P35 仅支援 PCI-Express 1.0 ,还要透过南桥的 PCI-Express x4,达成双绘图接口,频宽上有天壤之别。



南桥方面, MSIP45 Diamond 採用全新 ICH10R 晶片,相较上代 ICH9R ,功能规格并未有大幅修改,保持 6 个 PCI-E Lanes 、4 个 PCI Masters ,拥有 12 个 USB 2.0 接口。主要是 USB 改用了 2 组 EHCI 控制器,并支援 USBPort Disable 功能, SATA Port 则加入 Port Disable 功能,更加入了全新的 Wake Events 功能。


Intel P45 Express 晶片组

( 左 )Intel ICH10R 南桥晶片  ( 右 )  最高支援 DDR3-2000 记忆体

( 左 ) 支援双 x8 CrossFire 配置    ( 右 ) PCI-E 接桥晶片置背面



P45 与上代晶片组比较︰



Intel P45 Express Chipset

Intel P35 Express Chipset

Target Segment

Performance PC,
Mainstream PC

Performance PC,
Mainstream PC

Processor

LGA775

LGA775

System Bus

1333/1066/800 MHz

1333/1066/800 MHz

Max Memory

16 GB

8 GB

Memory Modules

N/A

N/A

Memory Type

DDR3 and DDR2 no ECC

DDR3 and DDR2

FSB/Memory Configurations

1066/DDR2-667,
800/DDR2-667,
1333/DDR3-1066,
1333/DDR3-800,
1066/DDR3-1066,
1066/DDR3-800,
800/DDR3-800,
1333/DDR2-800,
1333/DDR2-667,
1066/DDR2-800,
800/DDR2-800

1066/DDR2-667,
800/DDR2-667,
1333/DDR3-1066,
1333/DDR3-800,
1066/DDR3-1066,
1066/DDR3-800,
800/DDR3-800,
1333/DDR2-800,
1333/DDR2-667,
1066/DDR2-800,
800/DDR2-800

Integrated Graphics Type

N/A

N/A

External Graphics Interface

PCI Express x16 or
PCI Express x8 (2)

PCI Express x16

PCI-e Support

PCI Express X 1 (6)

PCI Express X 1 (6)

Storage Interface/Ports

Serial ATA (3 Gbps/AHCI) 6 Ports eSATA Port Disable

4-6 Serial ATA (3 Gbps/AHCI), eSATA

Storage Technology

Intel Matrix Storage Technology (ICH10R only; RAID 0, 1, 5, 10), Intel Rapid Recover Technology, Intel Turbo Memory

IntelMatrix Storage Technology with ICH9R; (RAID 0, 1, 5, 10) Command basedport multiplier, Intel Rapid Recover Technology, Intel Turbo Memory

Memory Controller Hub

82P45 MCH

82P35 MCH

Supported Intel I/O Controller

Intel ICH10 Family: ICH10, ICH10R

Intel ICH9 Family: ICH9, ICH9DH, ICH9R

PCI Masters

4

4

USB Ports/Controllers

12 USB Ports 2 EHCI Controllers,
Port Disable

12 USB Ports Dual AHCI,
port Disable

Audio

Intel High Definition Audio

Intel High Definition Audio

MSI P45 Diamond ︰ DrMOS 整合式 MOSFET




MSI 放弃与 ASUS 、 GIGABYTE 竞逐供电模组的相位数目,新一代 P45 系列部份型号改用全新 DrMOS (Integrated Driver-MOSFET)技术。传统的供电模组设计,每一相位均会拥有 MOSFET Driver 、 High-side MOSFET 及 low-sideMOSFET ,而 MSI P45-Damind 则採用了 Renesas DrMOS 晶片,型号为 R2J20602NP ,把 MOSFETDriver 、 High-side MOSFET 及 low-side MOSFET 同时整合于单一 QFN 封装内,呎吋为 8mm x8mm 。



相比现时的 MOSFET 主要採用 0.25 微米制程, Renesas DrMOS 晶片採用先进的 65nm 制程, 加上整合 MOSFETDriver 令 On/Off Timing 更为准确,在高负载下拥有更佳的稳定性。据 Renesas 指出, DrMOS 晶片负载流量比GIGABYTE 、 ASUS 所用的效率 Power-PAK MOSFET 晶片高出 1.5 倍,有效转换率提升约 25%,而且温度更低、寿命最高。



其实 Intel 早于 2000 年已向业者宣传 DrMOS 技术的好处, 可是 DrMOS 晶片成本相比传统 MOSFET 要高出 2.5倍,根本没有桌面主机板业者愿意使用,现时主要用于伺服器主机板产品中, MSI 不惜功本把 DrMOS 技术用于桌面主机板产品中, P45Diamond 採用 6 相 DrMOS 设计,绝对不让 ASUS 传统 16 相设计专美。




( 左 ) RENESAS DrMOS R2J20602NP  ( 右 )DrMOS Bottom View



MSI P45 Diamond ︰ Hi-c CAP 超低 ESR 电容





为了进一步提升产品寿命, MSI P45-Diamond 除了整片产品採用全固态电容外,供电模组方面的电容採用更进阶的 Hi-c CAP 高导电聚合物电容,全名为 Highly-conductive polymerized Capacitor 。



有别于传统电容及固态电容, Hi-c CAP 正极是採用铝箔或烧结钽,介质是伴化铝或氧化钽,负极是则是固态高导电聚合物,虽然体积细少但却拥有与传统电容同等的电容量。



Hi-c CAP 的 ESR 亦比传统液态及固态电容为更低,外观上与过去主机板上所会採用的钽质电容十分相似,在涟波电流、损失角等各方面的特性表现却好上许多。



值得注意的是,一般电容的阻抗值会因工作频率不同而大幅度提升,但 Hi-c CAP 电容则可以在各种不同的工作频率下,依然保有低阻抗的特性表现,进一步提升处理器电源的转换效率。



耐久性方面,一般固态电容的在 85oC 平均寿命为 2 万小时,但 Hi-c CAP 在同样环境下则可达 4.48 万小时,寿命提升 1 倍。







MSI P45 Diamond 设有 Phase LED ,显示正在运作的相位数目



省电技术不再是 ASUS 、 GIGABYTE 的独家技量, MSI 在新一代 P45 主机板系统中加入 GreenPower 节能技术,採用Intersil ISL6336A PWM 晶片,拥有开关相位及计算耗电流数值的功能,透过 MSI的外部线路设计,可按照处理器的功耗负载,实时开启或关闭部份供电模组,自动调整至最具效率的电源相位。当 CPU处于轻负载或闲置的状态,把多余的相位电路关闭,避免不必要的能源浪费,进而达到节能的目的,原理与 GIGABYTE 的 DES 省电技术相近。

比较对手的省电技术, MSI 的优点在于不需要软件、亦不需要驱动程式,用家只需要在 BIOS 启动 GreenPower技术即可启动,由于不需要驱动程式的关系,不仅在 Microsoft Windows 作业系统中能使用,而是在 DOS 、 Linux及所有作业系统都能支援 GreenPower 节能技术,值得一赞。


( 左 ) Intersil ISL633A PWM 晶片   ( 右 ) GreenPower 设计版面



MSI P45 Diamond 採用 6 相 DrMOS 供电模组,启动 GreenPower 后将会按照处理器功耗,由 3 相、 4 相、 5 相、 6 相,四阶不同排档实时动态切换。

值得注意的是, GreenPower 不仅在处理器供电模组中进行节能,其实同时亦能为北桥及记忆体部份进行节省, MSI  45-Diamond 的北桥及记忆体部份均採用两相供电设计,同样可以切相以提升供电转换效率。


图为北桥与记忆体相的 Phase LED





MSI P45 Diamond ︰ Heatpipe + Liquid 散热器



针对高阶玩家的需求, MSI P45 Diamond 採用双 Heaptipe 散热器设计,把南北桥散热的热量传送至供电模组上方的全铜鳍片上,供助处理器散热器排出的气流带走热力,散热效果令人满意。



散热器加入了液冷 Block ,因此用家不需额外购置晶片组的 Block 也能为晶片组提供液冷散热,提供主机板的超频稳定性。虽然接口採用 5mm 喉管,但 MSI 提供了 8cm 及 10cm 的转换接头以符合不同液冷系统的规格。





MSI P45 Diamond ︰ 附 SoundBlaster X-Fi Xtreme 音效卡




MSIP45 Diamond 主机板上并没有任何的 Audio Codec 晶片,全因它附送了高质素的 SoundBlaster X-FiXtreme 音效卡,是现时唯一 Creative 容许第三方生产的 SoundBlaster 产品,但却不许独立发售。



採用了 Creative CA0110 音效晶片,支援 24-Bit/96kHz 、 7.1 声道播放效能,讯噪比大于 108dB ,支援Dolby Digital 及 DTS 解码,拥有独家 EAX Advanced HD 及 X-Fi 技术 ( X-FiCrystalizer 、 X-Fi CMSS-3D Virtual 及 X-Fi CMSS-3D Headphone) 。



24Bit Crystalizer 能重新整理出下载音乐及影视中的细节,透过智慧型的演算方式强化低高频的声段,进一步重新处理细节及动态范围。让你可以听到更多细节 – 如钹的敲击声、吉他的拨弦声、高速摩擦所产生的刺耳声以及更具震撼的爆炸效果等等。



CMSS-3D 则可以延伸用家的立体声,将 MP3 及数位影音再透过立体声扬声器或耳机也能拥有虚拟的环绕声效果。此刻,人声会被置于正前方,而其余声效则环绕週围,如同身歷其境。



接口方面,拥有 5 组 3.5mm 接口,提供扬声器及耳机输出、麦克风输入及线性输入,可适用立体声至 7.1 声道输出,提供一组 SP/DIF 光纤及 3 Pin 输出,顶端提供与 Intel HD Audio 相容的前方面板接头。




Creative CA01110 音效晶片

( 左 ) 支援 SP/DIF 输出   ( 右 )  HD-Audio 机箱前端输出

本帖最近评分记录
  • fengke117 现金 +20 踢你一脚 2008-7-24 16:11
MSI P45 Diamond ︰优化超频的 BapidBoost 设计




为提升超频性能, MSI 在 P45 系列中加入 Bapid Boost 的设计,其中一个优化是回復以往的外频 Jumper 设计。据 MSI指出,现时大部份主机板产品均採用 Jumper Less 的 BIOS 超频设计,如果在 BIOS 设定 FSB 为 400MHz ,预设为200MHz ,系统启动时 BIOS 会把 200MHz 提升至 400MHz ,相差的幅度达 100% 。



突如其来的大幅度频率改变,很容易导致启动失败而无法正常 Boot up ,因此 MSI 採用 OC Jumper 设计,可把 FSB200MHz 的 CPU 硬体设定成 266MHz ,因此系统启动时 BIOS 变成由 266MHz 提升至 400MHz,减低启始时的超频幅度能提升成功率。



此外, MSI 加入了 Multi-step OC Booster 设计,并拥有 Mode 1 及 Mode 2 。 Mode 1会在系统进入作业系统后,才会进行 BIOS 超频设定,不会在硬体启动时进行超频; Mode 2 则是硬体启动时仅执行 BIOS超频幅度的一半,当进入作业系统时才会完全回復应有的超频幅度,这两个模式有助进一步解放主机板的应有潜力。



MSI P45 Diamond ︰其他设计一览




( 左 ) 板上设计 Power 、 Reset 及 Clean CMOS 按钮   ( 右 ) 设有 Debug LED 方便查看系统问题

( 左 )JMicro JMB363 提供 2 组 SATA 及 1 组 IDE 接口    ( 右 ) VIA VT6308P IEEE 1394 晶片

( 左 ) JMicro JMB362 提供 2 组 E-SATA   ( 右 ) 两颗 Realtek RTL8111C Gigabit Ethernet



MSI P45 系列功能比较



P45
iamond
P45D3
Platinum
P45
Platinum
P45
Neo 2
P45
Neo3
P45
Neo
DrMOSYesYesYesYesNoNo
Circu-PipeYesYesYesYesNoNo
Hi-c CAPYesNoNoNoNoNo
Shielded chokeYesYesYesYesYesNo
2 Phase on DDR/MCHYesYesYesYesNoNo
VGA BoosterYesYesYesYesNoNo
All Solid CapacitorYesYesYesYesYesNo
OC JumperYesYesYesYesYesYes
Multi-step OCYesYesYesYesNoNo





Testing Platform
CPUIntel Core 2 Extreme QX9770
MBMSI P45 Diamond
MemoryKingston DDR3-2000 CL10 1GB x 2
VGAATI Radeon HD 3870

DrMOS 温度测试



Power-PAK MOSFETMSI DrMOS
Idle51.7c36.6c
Full Load71.4c55.6c

採用 65 奈米制程,整合 Driver 、 High-Side 及 Lower Side 的 DrMOS ,其工作温度比一般传统 MOSFET更低,我们找来同样採用六相供电的 P45 主机板作对比,在闲置时温度为 51.7c ,但 DrMOS 则低至 36.6c ,把一颗 Core2 Extreme QX9770 完全负载,传统 MOSFET 温度约为 71.4c ,而 DrMOS 则只有 55.6c,效果令人满意,同时意味着其转换效率比传统 MOSFET 高。

FSB 超频测试︰

MSI P45 Diamond
C2D E8600 ES
580MHz
OK
585MHz
OK, Unstable
590MHz
Bootable, Halt in Test

由于笔者手上的 Core 2 Duo E8600 最高摸顶 FSB 速度约为 580MHz ,因此,此次所提供的 P45 Diamond的超频表现仅供参考。据了解,现时 P45 Diamond 的风冷外频超频纪录为 649MHz FSB ,由外国网站 XtremeSystem所拥有。

GreenPowr 节能测试︰




测试採用专业功耗测量计,在未开启 GreenPower 省电技术,待机功耗约为 120W 。当启动 GreenPower 省电技术后 ,待机功耗降至 112W 。



CPU Burn-in 模疑 25% 、 50% 、 75% 及 100% 负载,在没有开启 GreenPower 省电技术,其功耗表现分别为 154W 、 165W 、 179W 及 191W 。



开启 GreenPower 省电技术后,同样的测试下录得 133W 、 147W 、 164W 及 175W ,最高省电效果高达 2xW ,主要来自相位电源转换效率最佳化。



GreenPower offGreen Power On
Idle120W112W
25%154W133W
50%165W147W
75%179W164W
100%191W175W


[ 本帖最后由 罪人 于 2008-7-24 16:28 编辑 ]
抢个小板凳,MSI p45超DDR 2 暂时不见起色,留意下它DDR3的超频表现~~
3000+OC300*9  
MSI K8 NEO4-F(黑)  
KM DDR400     
2140 OC3G
MSI P35 NEO2-FR
1G KM DDR2 800
好长哦,顶了再慢慢看
E2160 GO(1.38V 3.8G OR) 南海2 P35-FR KST 1GB X 2(2V 1200)
迪兰3850北极星(830 2322)  WD 640G(00) 联志T11 康舒E2 470
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  • 罪人 现金 +1 - -刚去悍马看到了! 2008-7-25 11:54
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看看我的少了很多的也,我来水,水回来
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