很黄很暴力

1、DrMOS


    新一代P45系列部份型号改用全新DrMOS(IntegratedDriver-MOSFET)技术。传统的供电模块设计，每一相位均会拥有MOSFET Driver、High-side MOSFET及low-side MOSFET，而MSI P45-Damind则采用了Renesas DrMOS芯片，型号为R2J20602NP，把MOSFET Driver、High-side MOSFET及low-side MOSFET同时整合于单一QFN封装内，尺寸为8mmx8mm。

20080721194047472060166270.jpg (84.99 KB)

2008-7-23 11:35

    相比现时的MOSFET主要采用0.25微米制程，Renesas DrMOS芯片采用先进的65nm制程，加上整合MOSFET Driver令On/Off Timing更为准确，在高负载下拥有更佳的稳定性。据Renesas指出，DrMOS芯片负载流量比GIGABYTE、ASUS所用的效率Power-PAKMOSFET芯片高出1.5倍，有效转换率提升约25%，而且温度更低、寿命最高。

2008072123130989184080877.jpg (79.61 KB)

2008-7-23 11:35

    其实Intel早于2000年已向业者宣传DrMOS技术的好处，可是DrMOS芯片成本相比传统MOSFET要高出2.5倍，根本没有桌面主板业者愿意使用，现时主要用于服务器主板产品中，MSI不惜功本把DrMOS技术用于桌面主板产品中，P45 Diamond采用6相DrMOS设计，绝对不让ASUS传统16相设计专美。

2、Bapid Boost

    为提升超频性能，MSI在P45系列中加入Bapid Boost的设计，其中一个优化是回复以往的外频Jumper设计。据MSI指出，现时大部份主板产品均采用Jumper Less的BIOS超频设计，如果在BIOS设定FSB为400MHz，预设为200MHz，系统启动时BIOS会把200MHz提升至400MHz，相差的幅度达100%。

111.jpg (90.63 KB)

2008-7-23 11:39

    突如其来的大幅度频率改变，很容易导致启动失败而无法正常Bootup，因此MSI采用OC Jumper设计，可把FSB 200MHz的CPU硬件配置成266MHz，因此系统启动时BIOS变成由266MHz提升至400MHz，减低超频幅度能提升成功率。

    MSI加入了Multi-step OC Booster设计，并拥有Mode1及Mode2。Mode1会在系统进入操作系统后，才会进行BIOS超频设定，不会在硬件启动时进行超频；Mode2则是硬件启动时仅执行BIOS超频幅度的一半，当进入操作系统时才会完全回复应有的超频幅度，这两个模式有助进一步解放主板的应有潜力。

[ 本帖最后由 很黄很暴力 于 2008-7-23 11:54 编辑 ]

黑手口口

我靠，MSI的OC能支持DDR1200，根本就是虚假广告一个，骗钱的东西，DRMOS只要一超频就没用

闲云一片

市场决定技术成败，更何况有没技术还是个未知数呢~~

fengke117

超频以后一样的可以打开的 我就这么用的

tonysayhi

不过看过有关测评，这块MSI板超频一样有掉压的掉现象，而华硕的16相供电却没有哦。

黑手口口

是可以打开，不过测一测就知道，基本没用啊