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我的P5E+Q6600 设置U3.6G D1200[内附参数设置详解]

年前入手的装备,经过这段时间的折腾,终于定位到U 3.6G(450x8),DRAM 1200(5-5-5-12),FSB Strap to North Bridge 设400,分频3:4。

还是外频尽量往高处走爽,这个450外频设置经测试内存性能比最早尝试的5:8分频1376还高  5:8分频貌似高频低能

u3.6+d1200.jpg
2008-2-10 01:31


装备如下:

P5E + Q6600(G0) + 九州风神冰塔6热管
(冰塔散热器上P5E扣具冲突,自己YY了下,可以上。本来想换CM 风神匠,本地价降到300元了,后来见冰塔还顶得住,而且今年冬天特别冷,暂时放弃)
GEIL DDR2 1066 CL4 + OCZ XTC COOLER
HD3870
CM 750W
鹰盟728机箱 前后两12CM风扇+侧面自己YY两12CM风扇

OCZ XTC COOLLER 接主板POWER和前后两个机箱风扇直接P5E,主板对风扇自动调速,不到900转,冰塔散热器最高1350转,再加上个前面板风扇调速器控制两个12CM风扇,4个12CM风扇都控制在1000转以下,声音相对安逸

1月底曾经在论坛发过的最早尝试的设置(http://bbs.ocer.net/thread-189647-1-1.html

U 3.87G(430x9),DRAM 1376(5-5-5-5),分频5:8,这个应该是FSB Strap to North Bridge =266下得出的
x38+Q6600.jpg
2008-2-10 01:31


下面是我整理的个人设置和每个设置项目的说明备注,并附上台湾COOLAER狂少的通用设置对比

Extreme Tweaker  我的设置  
 缩写及可用参数调幅U3.6G-D1200狂少备注
Ai Overclock Tuner
 [Manual][Manual]手动超频模式
CPU Ratio Setting [8][8]CPU倍频
FSB Frequency [450][450]CPU 外频,尽量提高
FSB Strap to North Bridge [400][Auto] 
PCIE Frequency [100] [110]有助3D游戏
     
DRAM Frequency [1199] 内存频率,受[FSB Strap to North Bridge]设置影响
DRAM Command Rate [Auto][Auto][CR]内存首命令延迟,若内存体质超强可设1T
DRAM Timing Conterol [Manual][Manual]内存参数选项
     
CAS# Latency[CL], [tCL][5][5]从内存收到数据读取指令到实际执行该指令需等待(延迟)的时钟周期,也决定在一次内存突发传送中完成首部分传送所需时钟周期数。最关键参数,延迟越小,内存速度越快。但延迟过低可能会丢失数据,提高延迟可使内存运行在更高的频率
RAS# to CAS# Delay[tRCD], [tRTC][5][5]行寻址到列寻址延迟时间[RAS to CAS Delay], [Active to CMD]
RAS# Precharge[tRP][5][5]内存行地址控制器预充电时间[Row Precharge Timing], [Precharge to active]
RAS# Active Time[tRAS][12][12]内存行地址激活时钟周期数,也即一个行地址从激活到复位的时间。数值太小会造成不够时间完成一次突发传送,数据丢失或者被覆盖。[RAS Activate to precharge], [Active to Precharge Delay], [Precharge Wait State], [Row Active Time], [Row Active Delay], [Row Precharge Delay] 最佳设置:[tRAS] = [CL] + [tRCD] + 2, 数值<10 性能和稳定性都不会有太大的变化,从DDR起它已越来越不重要
RAS# To RAS# Delay[tRRD][3][3]连续的激活指令到内存行地址的(预充电)间隔时间, [Row to Row Delay], [Active to Active Delay]延迟越低,下一个bank能更快地被激活进行读写操作。太短的延迟会引起连续数据膨胀。该参数对性能,延迟和稳定性影响较少
Row Refresh Cycle Time[tRFC][42][42]在同一bank中刷新一个单独的行所需时间, 也是同一bank中两次刷新指令的间隔时间, [Refresh Cycle time], 这个数值SPD默认设置相当大[40-60],实际可稳定运行的值在[20-30]。该参数对性能,延迟,稳定性均无太大的影响。
Write Recovery Time[tWR][6][6]写恢复时间,在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前需等待的时钟周期,以确保在预充电前,写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。过低的参数可能导致数据的丢失及损坏,即数据还未被正确写入到内存单元中,就发生了预充电操作。它对内存影响理论上有一些,但对高频内存这种程度会小很多
Read To Precharge Time[tRTP][3][3]内部读取到预充电命令延迟, [Read to Precharge], [Read to Precharge Delay]
Read To Write Delay (S/D)[tRTW][8][8]读到写延时, 三星称其为[TCDLR]=Last Data In To Read Command(最后的数据进入读指令), 内存模块的同一个或不同BANK中,最后一次有效写操作到下一次读操作之间的时钟周期。该参数对内存带宽和稳定性影响也很小
Write To Read Delay (S)[tWTR](Same Bank)[3][3]写到读延时
Write To Read Delay (D)[tWTR](Different Bank)[5][5]写到读延时
Read To Read Delay(S)[tRTR](Same Bank)[4][4]读到读延时
Read To Read Delay(D)[tRTR](Different Bank)[6][6]读到读延时
Write To Write Delay (S)[tWTW](Same Bank)[4][4]写到写延时
Write To Write Delay(D)[tWTW](Different Bank)[6][6]写到写延时
     
DRAM Static Read Control [Enabled][Disabled]ASUS独家内存静态读取加速控制,[Disabled]有利于内存超频稳定,[Enabled]有利于性能加速特别是3D游戏
Ai Clock Twister [Strong][Strong]ASUS独家内存时钟频率加速,提高内存效能:[Light]轻微, [Modertate]适中, [Strong]强劲
Transaction Booster [Enabled][Enabled]ASUS独家内存超频性与效能提升,[Enabled][Boost Level]效能提升等级, [Disabled][Relax Level]兼容提升等级
Boost Level [0][0]效能提升等级, [0]-[3]
Relax Level   兼容提升等级, [0]-[3]
     
Vcore Voltage[1.10000-1.70000][1.41250]=1.360v[1.3-1.4]CPU核心电压,Q6600[0.85v-1.35v][1.100v-1.372v] / [1.40000]=1.344v, [1.40625]=1.352v, [1.41250]=1.360v, [1.41875]=1.365v
CPU PLL Voltage[1.50-2.78][1.70][Auto]CPU频率控制芯片电压,超频可设[1.70]-[1.80]-[2.00]
FSB Termination Voltage[1.20-1.50][1.44][1.50]FSB前端总线电压,提高有助于高外频运行的稳定性, 超频可设[1.42]-[1.50]
DRAM Voltage[1.80-2.66][2.24][2.16-2.35]内存电压
North Bridge Voltage[1.25-1.75][1.49][1.61-1.7]北桥核心电压, 超频必选项,可设[1.55]
South Bridge Voltage[1.050-1.200][1.050][Auto]南桥核心电压
     
Loadline Calibration [Enabled][Enabled]负载线校正,ASUS独家CPU核心电压稳流技术,减少CPU满载时核心电压的下降(Vdroop),利于CPU超频稳定,旧称[CPU Voltage Damper]
CPU GTL Reference[0.63x-0.61x-0.59x-0.57x][0.63x][0.63x]CPU 参考电压,可设[0.63x-0.59x], 校准CPU实际电压与设定值更接近
North Bridge GTL Reference[0.67x-0.63x-0.60x-0.57x-0.56x-0.53x-0.51x-0.49x][0.67x][0.67x]北桥CTL参考电压, 校准北桥实际运行电压与设定的电压值更加接近
SB 1.5V Voltage[1.50-1.80][1.55][Auto] 
     
CPU Spread Spectrum [Disabled][Disabled]CPU 扩展频谱, [Disabled]利于超频
PCIE Spread Spectrum [Disabled][Disabled]PCIE 扩展频谱, [Disabled]利于超频
     
Advanced - CPU    
     
CPU Ratio Setting [8][8]此处自动与Extreme Tweaker中的CPU Ratio Setting同步
C1E Support [Enabled][Disabled][Enhanced Halt State] Intel CPU增强暂待时态(休眠),可自动调节倍频和核心电压, 超频[Disabled]
CPU TM Function [Enabled][Disabled][Thermal Monitor 1-2], Intel CPU 智能热温监控过热保护,可自动调节倍频和核心电压, 超频[Disabled]
Vanderpool Technology [Enabled] [VT], 虚拟化技术, 在独立分区(同一电脑资源下)分成多个虚拟部分单独运行多系统或多任务,虚拟化有助于平衡多核多线程的计算需求,在不增加能耗下提高性能或增加功能
Execute Disable Bit [Enabled] [EDB], 防止缓冲存储器溢位,停止非执行位功能,相当于硬件防毒
Max CPUID Value Limit [Disabled][Disabled] 
Intel(R) SpeedStep™ Tech [功能消失][功能消失][Enhanced SpeedStep Technology](CIST, ESS), Intel CPU 智能节能, 可自动调节倍频和核心电压, 超频[Disabled], [CPU Ratio Setting]手动设值后, [Intel(R) SpeedStep™ Tech] 选项自动屏蔽


附件还有上述参数设置的EXCEL表,以及我用EVEREST的普通测试成绩,容量限制分两个RAR压缩包

欢迎大家交流

P5E设置及测试成绩.part1.rar (250 KB)

P5E设置及测试成绩.part2.rar (70.23 KB)

补充说明一下,因为设置了U节能,所以U的频率显示是不断变化的,所以抓图里右边EVEREST的侧边栏参数显示是U自动降倍频为6的结果,这是因为EVEREST的参数侦测时间间隔和CPU-Z不同,CPU-Z显示的一些参数如电压和U的频率也有所不同。怕误解了,罗嗦一下。
很不错,主板强,内存也强。
看来还是我的内存和P5E有兼容性问题,只要内存频率不过1000,CPU超到3.6一点问题都没有,多谢楼主的参数
CPU:Q6600 & U120E
主板:asus P5E
内存:芝奇PC8000 DDR1000 2G*2
显卡:8800GT
硬盘:希捷ST3320620SV*2
电源:海韵M12 700W
lz内存设置为2.24v,那实际是多少V啊?我的x38 MF设置2V,实际上为2.11V,偷加太多了,不感上啊!
P5E传感器屏蔽了一些电压测试,用软件测不出内存实际电压。

倒是U内核电压VDROP得厉害。我上面的表有一些CMOS设置电压和实测电压的值。
  同用P5E但北桥没敢加压 怕热。。。。。。。。现在2140超450*8内存5:6跑1081 内存2g*2的金邦白金~~
刚又小试了下,北桥变1.41V,CPU PLL 1.55V,内存2.2V,其余没变,PRIME95通过30分钟测试,往后再试试把电压调低下看。

主要是我把原来安在侧面板的12CM AVC扇直接固定在冰塔上了,现在双扇隔着散热片近距离一进一出,双扇待机核心34度左右(之前单扇多10度),双扇满载30分钟不超过72度(之前单扇满载核心上85度),看来前期猛上电压才稳定和U热量关系重大。
温度这么高,不怕烧了么?
INTEL Core 2 Quad Q6600
ASUS P5B-Deluxe WIFI-AP
Kingston DDR2 800 1G × 4
ASUS EN7950GT/HTDP/512M
SAMSUNG 740N
这内存体质不错,难的能看到在ASUS板子上,OC超过1200的
最新结果内存降到2.14V 1200 5-5-5-12稳定,其他一样,PRIME95通过30分钟测试
最近就入套这个!!谢谢LZ引路!!
非常强大而且详细的说明,到处在找类似方面的文章,我主板用的X48的Rampage Formula,内存是OCZ Product PC2-6400 Reaper CL4 4GB Edition,U是Q66,OCZ的内存官方默认的超频电压是2.2V,明天对比楼主的设置,我也这样超一下!

另外,在测试稳定性上,是跑prime好,还是跑两个OR好,如果报错,怎么知道是U的问题,还是内存的问题?感谢!!
电压能不能再往下调啊,试下吧,我板子热啊!!默认都41C了,危险温度是多少?3.2G怎么设置?

[ 本帖最后由 jacky_4eva 于 2008-5-7 09:42 编辑 ]
请问LZ@3.6G的时候CPU满载大概是多少度,还有就是CPU功耗大概是多少!!????
真是好文。顶!
刚入手的Q6600和P5E,正打算刷BIOS和超频,真是好文啊
Q6600 3.6G
ASUS P5E刷Rampage Formula
Gskill900 2G*2
影驰9800GTX+
ST 320G*2 RAID 0
金刚战神500W
对了,不知道有没大大把P5E刷成Maximus formula 的,发个帖子指导下了。。。
Q6600 3.6G
ASUS P5E刷Rampage Formula
Gskill900 2G*2
影驰9800GTX+
ST 320G*2 RAID 0
金刚战神500W
我刷了,刷了后超频非常强劲,原因是北桥和FSB的AUTO电压变成了1.648和1.44了,北桥比较高温,要加强散热....
我的是P5K/EPU 超频时可设相同选项么??有没有朋友用这个板超频的?我的也是Q6600 GO
很好的指导文章,谢谢楼主分享。
很好的指导文章,谢谢楼主分享
我用的是ASUS的X48,很有研究价值
感谢分享
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