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[其他] 内外兼修，PNY模组巧超DDR2-1200

本主题由萌萌于 2007-9-20 10:26 加入精华

TARZAN

泰山

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1楼大中小发表于 2007-9-19 21:34 只看该作者

内外兼修，PNY模组巧超DDR2-1200

拆马甲验真身

　　本次测试的产品是来自美商必恩威（PNY Technologies, Inc.）的一款DDR2-1066内存，但由于送测样品的散热片扣具上标识为DDR2-800，我们便将其拆解，经过测试后得到的结论是其可以稳定工作在DDR2-1200高频下，而且在INTEL和AMD两大平台均表现出色。如果您手中的内存上不到高频，也可以参照本文的介绍来一步步动手尝试，或许会有惊喜。

　　与以往的测试不同，本次我们收到的测试样品是DDR2-1066规格，但散热片扣具上却标注为DDR2-800。为了一窥究竟，我们便除去HeatSink直接参照芯片规格看是否够实力标注DDR2-1066。

度身定做的黑色散热片并非华而不实

扣具居中且力度均匀，不会对局部颗粒造成压迫

—_—！打开散热片后发现里面竟然还有一个规格标贴

　　其实当马甲拆到一半发现里面还有个标贴时笔者连连诧异，难道里面的规格和散热片上的标贴不符？当时还蛮紧张的，因为散热片卡扣上明晃晃的DDR2-800字样历历在目。可是当完全看到内部规格标贴时真的松了、松了，是DDR2-1066，没错。

7HD22 D9GMH G4B8 Micron Chip

　　D9GMH：MT47H64M8B6-3；512Mbit规格，64M×8组织方式，60-pin FBGA 10mm×10mm尺寸封装，标称速度3纳秒，标称运行模式DDR2-667 CL5上，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。

　　7HD22代表07年第16周第四代核心版本产于新加坡且在新加坡封装。

　　产品原貌链接

　　经过到PNY官网查证，我们基本确定其实这款产品是早期就存在的，只是后来厂商考虑到高频内存需要加压且发热量较大而特别添加了散热片。如果能做的更完美些，比如在官网及时更新相应的产品信息并添加散热片时取下原标贴使颗粒和导热体更充分接触就更赞了！

　　PNY这款内存采用了BrainPower（欣强科技）的6层印刷电路版（Printed Circuit Board）：BP ML E186014 PCB（B62URCE 1.0）。在8层PCB推出之前该型号一直是各大超频模组厂商的首选，而PNY这款产品在成本和最终效能方面做了最平衡的选择，搭配6层PCB。

　　SPD的全称是Serial Presence Detect（串行存在探测），它是1个8针的SOIC封装256字节的EEPROM。它的位置一般处在内存条正面的右侧或中间，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有SPD，就容易出现死机或致命错误的现象。当然，部分主板在没有检测到SPD时也能正常驱动，这主要取决于主板厂商的设计。PNY这款产品的EEPROM芯片换成了S24C~L02A，用这枚搭配镁光颗粒的内存再合适不过了，因为它的体格更适合承受高激发电压，延长内存寿命。

　　内存工艺是很直观的，内存条上的贴片电容起到增加内存抗电磁干扰性的作用，可以有效提高系统稳定性。我们经常看到一些名牌内存具有排列整齐而且密密麻麻的贴片电容，而杂牌产品的贴片电容则相对较少。对于相同容量的贴片电容而言，电容小而多比大而少输出的电流更纯净更稳定。同样的，更多的8Pin终结电阻（220）也可以有效的防止高频下的信号回荡现象。

INTEL平台测试方案

Intel平台最关键的就是正确设置FSB Strap to NorthBridge

　　同样为500MHz Bus Speed，当选择不同的FSB Strap时得到的除频选项不尽相同，建议Auto。因为Auto可以得到多达7项的分频，而如果需要大幅提高外频就要将FSB Strap设置为333MHz，需要跑高效能时尽量设置低一些的Strap。如何权衡还要考虑手中内存的体制及处理器需要达到的外频！

FSB Strap=Auto

FSB Strap=200MHz

FSB Strap=266MHz

FSB Strap=333MHz

Transaction Booster是内存处理加速技术，数字越大等级越高

合理的提升北桥电压会使Memory Controller不牵绊DRAM频率提升

C1E Support关闭后处理器便不会自动降频降压，超频后开启不利于稳定

Memory Remap Feature只有在搭配4GB或DIMM1~4插满时建议打开

最后关闭些不常用的板载设备以保证超频后的稳定性

AMD平台测试方案

注意关闭Virtualization（虚拟化技术）并合理设置HyperTransport倍频

新版BIOS由于支持AM2+处理器因而有了DDR2-1066分频，但经测试目前针对K8无效

电压设置选单中的各路Voltage请按照硬件实际体制设置

　　Extreme Tweaker选单下的Over Voltage是调节处理器，芯片组及内存电压的选单，了解处理器、芯片组的工作电压及OC电压后就是需要设置内存电压，这里甚至还可以选择DDR2内存终结电压、DDR2控制裁决电压、DDR2 A/B各通道组裁决电压。

Extreme Tweaker选单下可以提供DRAM Configuration及SubTimings Tweak。测试时我们将CAS Latency设置为4，tRCD-4，tRP-4，tRAS-9；Width of DRAM Interface不动，因为只有Auto和64-bit两种选择，跑Dual Channels必然用Auto。1T/2T Memory Timing为冲击高频选择2T。AI Clock Skew建议选择Auto，如果很了解您手中内存的具体体制差异也可以通过独立设置两个通道的延迟而使Dual Channels更加协同，这个协频选项的单位是ps（皮秒）。

Advance Memory Settings是进阶内存设定选项，提供了详尽的微参调节

　　第一项是CPU On-die Termination，其作用是调节处理器内部终结，建议选择Auto或75ohm。Trc这个选项一般非常保守，会达到20+，而镁光颗粒几乎可以在任意频率去稳定最小值11。

　　Twr/Trrd/Trwt/Twtr/Trtp/Twrrd/Twrwr/Trdrd/Tref/Trfc/DRAM Termination/Max Async Latency/R/W Queue Bypass/DCQ Bypass Maximum也都可以By SPD让BIOS自动获取，当然如果想做到最大化挖掘平台中各硬件效能是不能有Auto的，因为Auto通常会强调稳定性而过于保守去牺牲应有的性能。

　　Dynamic Idle Cycle Counter则控制动态空闲周期计算，强制开启一般可以提高内存频宽。建议选择Enabled，这个选项最早出在DFI LanParty NF4 Series主板BIOS中，当时超频3000+、OP146时动辄300MHz的TCCD就与这个选项有很微妙的关系。

　　Idle Cycle Limit是调节空闲周期限制的选项，如果开启了Dynamic Idle Cycle Counter（动态空闲周期计算）则该选项起实际作用。建议设置为0 cycles，这个参数表示强制关闭一个内存页面前的MemClock数值，也就是读一个内存页面之前重新充电的最大时间。通常默认设置为16，而最大值甚至可以选择256。

　　DRAM Burst Length直译为记忆体脉冲时间，实际就是照顾内存频宽的一个选项，建议设置为64-byte。

　　DRAM Bank Interleaving是控制内存寻址交错的选项，打开它可以有助于频宽的提升，建议选择Enabled。

DRAM Timing Control中还有更多的选项，第一个设置也是关系到两组内存协频问题的，其中CHA代表Channel A，CHB则代表Channel B。双通道下内存能否运行在最佳状态完全靠这些选项的调校，选项颇丰，有No delay（无延迟）、X/64（64分之X MEMCLK delay）步进为1/64而最后一个DQS Receiver Enable Timing（DQS接收启动时序）是关系到内存稳定性的一个选项，它的单位是ps（皮秒）

Output Driver Control是输出驱动控制选单，第一项CHA CKE Drive Strength是控制A通道的CKE驱动力度的，也是为了协频而生。其中关系最大的是最后一项DRAM Drivers Weak（内存驱动强度模式选择），分为Auto、Normal和Weak。记得当年上600的TCCD多选择Weak，这里镁光颗粒比较神奇的是跑正常和减弱都可以稳定，只不过是其它颗粒要特别注意。

最后要做的就是关闭其它不常用设备以保证高频下的稳定性

成绩对比及稳定性测试

CPU-Z 1.41也无法识别内存厂商、部件编号、序列号（产品周期）等信息

　　3GHz DDR2-1000C5对比

3GHz同频DDR2-1000C5内存效能对比

　　3GHz DDR2-1200C5对比

3GHz同频DDR2-1200C5内存效能对比

　　2GHz DDR2-800/Bug对比

200MHz默认外频下选择DDR2-1066出现BUG，效能反而低于DDR2-800

　　DDR2-1200 4-4-4-12 SP2004（ORTHOS）稳定性及效能测试

DDR2-1200 CL4与CL5效能对比

　　以上测试可以看出，无论Intel最新的P35平台还是AMD内置内存控制器下PNY内存凭借镁光D9GMH颗粒均表现良好，而整个测试过程中MAX Memory Voltage仅为2.55V，VDroop后甚至仅为2.532V。通常超过2.4V的激发电压均容易导致内存晶圆内部造成不可逆转性伤害或EEPROM受损，但PNY通过搭配强劲的散热片与更新了高耐压EEPROM芯片解决了上述问题。柱状图结论也得出AMD同频下内存效能领先Intel平台，而效能越高则越难达成高频，硬件的世界就是如此，高频与高效难以兼得。

PNY简介及测试总结

　　美商必恩威（PNY Technologies, Inc.）很多玩家应该并不陌生，其隶属美国必恩威科技股份有限公司，成立于1985年，为业界之领导厂商，一直以来秉持着专业与服务精神，提供客户高质量与全系列计算机外设内存产品、闪存产品及消费性/专业性绘图卡产品之服务。PNY在消费性绘图卡与专业绘图卡的市场占有率更居领导地位，与NVIDIA成为重要合作伙伴。渠道遍及欧美的主要零售大卖场、网络购物零售商、邮购与大型经销商。为提供更全球化/全方位的服务，PNY于2002年于台湾设立据点，成为PNY集团运筹营运中心，并于2005年正式挥军亚洲市场，经营亚太地区之所有市场与销售业务，目前业务涵盖大中华地区、马来西亚、韩国、菲律宾、新加坡、印度…等。主要产品为内存、闪存、绘图卡等。

　　为了更佳推广PNY品牌，让更多的消费者了解、体验到PNY优良的产品和服务理念，自2007年9月起，PNY将会陆续在其全线产品中使用全新的LOGO和经过改良的、更人性化的产品包装，以及在PNY美国官方网站上提供更多利于消费者的服务。

旧版LOGO 1

旧版LOGO 2

　　鉴于市场惯性，标注有新LOGO的新产品将和旧LOGO的PNY各类产品在市场中将共存一段时间，PNY公司也将一如既往的对印有旧LOGO的各类产品实行PNY承诺过的所有售后服务，请各位消费者不必忧心。

　　PNY新LOGO有四个版本，分别是金色LOGO及黑色LOGO两种为主体，再搭配黑白底，共四种组合，相比旧LOGO，新LOGO去掉了背景中的红色横线和Technologies字样，而多样的LOGO组合不仅突出PNY丰富的产品线，更符合现代消费者的视觉审美，新LOGO突出了P、N、Y三个字母，主要由黑色、白色、金色构成、展现了PNY公司专业、务实的作风和以人为本的企业精神。

新版LOGO 1

新版LOGO 2

新版LOGO 3

新版LOGO 4

　　新的LOGO体现了PNY是一个非常现代化和极具朝气与活力的公司，它表达了PNY现代、充满朝气和极具活力的特点。

　　采用PNY新LOGO的产品将于即日起陆续供应全球的零售市场，利用我们在产品线，市场通路、市场占有率，以及售后服务上的优势，让更多的终端消费者能享受到PNY卓越的产品。我们也会积极、主动的与消费者做有效的沟通和互动，就PNY新LOGO推广的方向和必要的进程进行交流，加强新PNY的品牌建设。

　　当前内存市场尤如以往战国时代，品牌繁多、品质良莠不齐，呈现百家争鸣之势。激烈的竞争促使众多品牌依靠低价格、低成本等战略，来扩展市场份额。乃至一些厂商在激烈竞争中悄然离去，致使消费者所购买的商品成为“维修孤儿”，无法得到售后的保障。而美商必恩威是驰骋疆场的一员老将，虽然进入大中华地区仅仅两年时间，但我们希望看到这样有活力的厂商为我们提供丰富的产品、优质的服务及公道的价格。任何一个行业都不能出现垄断，任何一个产品都需要经过磨练，究竟用户能否接受PNY的各款产品，让我们拭目以待。

　　不过就目前本次测试来看，PNY已经可以在超频领域占有一席之地了，严格筛选的镁光D9GMH芯片配合设计合理的散热片使得它在高频下工作相当稳定，随着国内渠道的进一步完善，PNY这个品牌即将得到更多用户青睐。