我想现在大多数玩家还是在用P965的板子，而且大多数超频记录都是P965+CONROE组合创下的，本文是写给在用P965主板的新手，如果有什么意见大家一起来探讨。
超频，无非两字——折腾，但是折腾了半天还没别人配置低的折腾出来的高呢？其实要想有好的成绩，除了要有烧钱的米物，好要有高深的超频理论，尤其是对BIOS的设置和优化，下面我以P5B-DELUXE（馒头出来前P965的板王）为例，简单介绍下：
进入BIOS，进入到高级选项，进入第一项Junper Free Configuation
AI Tuning 选项选择Manual，会出现超频选项
CPU Frequency 是CPU外频，可手动1M逐挑，最高650（升级BIOS后）
DRAM Frequency 是内存分频率选项
PCI Express Frequency 是PCI-E频率，可选范围90-150
PCI Clock Synchronation 是PCI频率可选项 33.3MHZ，自动，超频时必须将PCI频率锁定为33.3MHZ，以免损坏硬件.
Spread Spectrum 是扩展频谱技术，是一种常用的无线通讯技术，简称展频技术。当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的峰值会产生电磁干扰（EMI），展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时，应将此类项目的值全部设为“Disabled”，这样可以优化系统性能，提高系统稳定性；如果遇到电磁干扰问题，则应将该项设为“Enabled”以便减少电磁干扰。在将处理器超频时，最好将该项设置为“Disabled”，因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发，这样会导致超频后的处理器被锁死。
Memory Voltage 内存电压，范围从1.8V~2.45V，适当提高电压有助于提高内存频率。
CPU Vcore Voltage CPU电压，范围从1.1V~1.525V，和内存电压一样，适当提高电压有助于提高CPU频率。
FSB Termination Voltage 前端总线（FSB）电压，可选范围1.2v~1.45v
NB Vcore 北桥电压，次设置对超频效果影响不大
SB Vcore 南桥电压，和北桥一样，影响不大的
ICH Chipset Voltage 南桥核心电压，与北桥通信总线电压（个人理解，官方没有太多说明）
回到上一界面，进入处理器设置界面
从上往下依次是：
CPU外频更改允许（此项设置为enable时才能更改外频）
C1E技术（enable时才能开启EIST选项）
MAX CPUID VALUE LIMIT（较新的 CPU 执行 CPUID 指令后因返回数值大于3可能会造成某些操作系统误动作, 开启 CPUID Maximum value Limit 选项能将返回值限制在3以下, 以避免问题产生, 由于此类问题并不会发生在微软的窗口系列操作系统, 因此 CPUID Maximum value Limit 选项的默认值为关闭的）
虚拟化技术（灰色不可更改）
CPU TM FUNCTION：CPU占用率（个人理解）
硬件防病毒功能
PECI：CPU自动风扇速度控制
EIST节能功能（超频是应关闭）
回到上一界面，进入芯片组设定
Memory Remapping Feature 内存重映射技术（Intel包括945、965、975都需要在BIOS中打开Memory Remap Feature 选项（设置为Enable），才可支持4GB或以上容量的内存。而在默认的Disable下是无法识别3000M以上容量的。Windows2003Server才能正确识别4G以上）
configuation DRAM timing BY SPD 开启或关闭 SPD只有选择DISABLE才能打开内存微调选项
CAS# Latency: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第1个参数, 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为3或4的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
RAS# TO CAS$ Delay: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第2个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。
RAS# Precharge
该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第3个4。DRAM RAS# Precharge (也被描述为：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
RAS# Activate to precharge
该值就是该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数。 (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（ tRAS ），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS 过长，会严重影响性能。减少 tRAS 可以使得被激活的行地址更快的复位，然而， tRAS 太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS值的时候，需要顾及tCL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。tRAS = tCL + tRCD + 2（举例，当tCL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）由于部分主板厂商并没有提供tras值全部数值，所以大家要尽量调低tras值的时候。不过一般只要是10以下的tRAS不论如何设置其性能和稳定性都不会有太大的变化，事实上从DDR起它早已经变得越来越不重要。
DRAM Write Recovery Time (tWR)
DRAM Write Recovery Time是“写恢复时间”， 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。它对内存设置影响理论上应该是有一些的，但是对于高频内存来说这种程度会小很多，因此这个项目的延迟也是尽可能的设置得越低越好
DRAM TRFC (tRFC)
描述为RowRefresh Cycle Time（tRFC）,在Memset里叫做Refresh Cycle time 。这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间，这个数值内存厂商总是设置得相当大，可以说大得离谱了，SPD直接设定都是40到60左右，实际可稳定运行的值则在20到30附近。tRFC参数对性能，对延迟，对稳定性均无太大的影响
DRAM TRRD (tRRD)
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，在Memset 中描述为Act. to Act.Delayed (tRRD) 。此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。(tRRD) 参数对性能，对延迟影响较小，对稳定性影响一般。
Rank Write to Read Delay (tWTR)
Write to Read Delay (tWTR) 在Memset 中描述为：Write to Read Delayed(tWTR)表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR2内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。该参数对内存带宽和稳定性影响也很小
Read to Precharge Delay (tRTP)
内部读取到预充电命令延迟，Memset中叫做 Read to Precharge(tRTP)
Static Read Control (ASUS独家的内存加速技术)注：通常设定为自动，当内存频超得过高时最好使用“Disable”的禁用状态，避免出现不稳定或者无法开机的情况
好了，以上就是超频中最关键的BIOS设置选项，只要设置得当，低配置也能折腾出高分数，祝大家都能超出好成绩！
[
本帖最后由 designmee 于 2007-8-10 23:57 编辑 ]
